| |
P-I-N діоди, ЛПД, діоди Ганна
P-I-N - діоди (ДП – 1 ÷ 12), ЛПД (лавино -пролітні) – діоди (ДЛ – 02; 03; 04), діоди ГАННА ( АЕ - активні елементи на ефекті Ганна ), діоди напівпровідникові ПЕРЕМИКАЮЧІ ( ДП – 2 ÷ 15 ), діоди напівпровідникові НАСТРОЮВАЛЬНІ ( ДН ). Напівпровідникові прилади застосовуються в напівпровідникових генераторах, модуляторах, атенюаторах, в хвилеводних комутаторах Технічні характеристики Найменування параметрів | Допустимі значення | P-i-n –діоди ДП – 1 ÷ 12 | ЛПД - діоди ДЛ –02 ÷ 04 | Діоди Ганна (АЭ) | Діоди напівпровідникові | перемикаючі | настроювальні | Вихідна потужність, мВт | 3000 | 75 - 100 | 100 - 500 | 75 - 100 | 850 | Напруга пряма, В, не більше | 0,8 | 0,8 | 0,9 | 0,95 | 0,95 | Струм прямий, мА, не більше | 150 | 50 - 150 | 150 | 12 | 200 | Напруга зворотна, В, не менше | 100 | - | - | 16 | 80 | Струм зворотний, мкА, не більше | 10 | 10 | 20 | 10 | 20 | Напруга пробивна, В | 50 - 100 | 22,5 - 28 | - | 30 - 85 | - | Струм споживання, А, не більше | - | - | 3 | - | - | Напруга номінальна, В | - | 25 - 27 | 6 – 8,5 | - | - | Струм управляючий, мА | - | - | 600 | - | - | Ємність (Cр), пФ | - | 0,4 –0,7 | - | 0,8 - 1,0 | 0,75 – 1,25 | Температура навколишнього середовища,°С | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | Мінімальне напрацювання, год | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | Маса, г, не більше | 0,05 | 0,05 | 0,9 | 0,05 | 0,05 | Габаритні розміри, мм | 6 х 0,7 х 0,8 | 6 х 0,7 х 0,8 | Ø 2 – 3 h =2 - 4 | 6 х 0,7 х 0,8 | 6 х 0,7 х 0,8 |
|
|
