| |
P-I-N - диоды, ЛПД, диоды Ганна
P-I-N - диоды, (ДП - 1÷12), ЛПД(лавино-пролетные) - диоды(ДЛ-0,2; 0,3; 0,4;), диоды Ганна (АЭ - активные элементы на эффекте Ганна), диоды полупроводниковые переключательные, (ДП - 2÷15) диоды полупроводниковые настроечные (ДН)
Полупроводниковые приборы применяются в полупроводниковых генераторах, модуляторах, аттенюаторах, в волноводных коммутаторах. Технические характеристики Наименование параметров | Допустимые значения | P-i-n –диоды ДП – 1 ÷ 12 | ЛПД - диоды ДЛ –02 ÷ 04 | Диоды Ганна (АЭ) | Диоды полупроводниковые | переклю-чательные | настроеч- ные | Выходная мощность, мВт, | 3000 | 75 - 100 | 100 - 500 | 75 - 100 | 850 | Напряжение прямое, В, не более | 0,8 | 0,8 | 0,9 | 0,95 | 0,95 | Ток прямой, мА, не более | 150 | 50 - 150 | 150 | 12 | 200 | Напряжение обратное, В, не менее | 100 | - | - | 16 | 80 | Ток обратный, мкА, не более | 10 | 10 | 20 | 10 | 20 | Напряжение пробивное, В | 50 - 100 | 22,5 - 28 | - | 30 - 85 | - | Ток потребления, А, не более | - | - | 3 | - | - | Напряжение номинальное, В | - | 25 - 27 | 6 – 8,5 | - | - | Ток управляющий, мА | - | - | 600 | - | - | Емкость (Cд), пФ | - | 0,4 –0,7 | - | 0,8 - 1,0 | 0,75 – 1,25 | Температура окр. среды, °С | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | 25 ± 10 | Минимальная наработка, ч | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | Масса, г, не более | 0,05 | 0,05 | 0,9 | 0,05 | 0,05 | Габаритные размеры, мм | 6 х 0,7 х 0,8 | 6 х 0,7 х 0,8 | Ø 2 – 3 h =2 - 4 | 6 х 0,7 х 0,8 | 6 х 0,7 х 0,8 |
|
|
